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LLNL长期以来一直是EUV光刻技艺的开发前驱。

位于加利福尼亚州的一家执行室将为极紫外（EUV）光刻技艺的下一次发展奠定基础。该形状由劳伦斯利弗莫尔国度执行室 (LLNL) 牵头，旨在鼓励 EUV 光刻技艺的下一次发展，以执行室开发的驱动系统大孔径铥 (BAT) 激光器为中心。

据该执行室称，LLNL 牵头的形状将测试 BAT 激光器与现时行业尺度二氧化碳 (CO2) 激光器比拟，将 EUV 光源恶果提高约 10 倍的才气。

LLNL 坚抓以为，这可能促成下一代“卓越 EUV”（BEUV）光刻系统的坐褥，从而坐褥出更小、更高大、制造速率更快、同期耗电量更少的芯片。

执行室进行了见识考证激光演示

LLNL 激光物理学家 Brendan Reagan 暗意，该执行室在畴前五年中进行了表面等离子体模拟和见识考证激光演示，为该形状奠定了基础。“咱们的使命依然对 EUV 光刻界产生了畸形大的影响，是以当今咱们很隆盛迈出下一步，”Reagan 补充说念。

该执行室宣称丝袜电影，EUV 光刻波及高功率激光，每秒放射数万个锡液滴。激光将每个尺寸约为 30 百万分之一米的液滴加热到 50 万摄氏度，产生等离子体，产生波长为 13.5 纳米的紫外线。

现存 EUV 光刻源的动力恶果

特殊的多层镜面指点晴明穿过掩模板，这些板保存着用于半导体晶圆的集成电路的复杂图案。把柄LLNL 的新闻稿，晴明将图案投射到光刻胶层上，蚀刻掉光刻胶层以将集成电路留在芯片上。

该形状还旨在访问应用为新式拍瓦级 BAT 激光器开发的技艺不错提高现存用于半导体坐褥的 EUV 光刻源的动力恶果，该激光器使用掺铥的氟化钇锂 (Tm:YLF) 动作增益介质，通过该介质不错增多激光束的功率和强度。

科学家们筹谋进行一次演示，将紧凑型高谈判率 BAT 激光器与使用整形纳秒脉冲产生 EUV 光源以及使用超短亚皮秒脉冲产生高能 x 射线和粒子的技艺配对。

Williams 强调，该形状将在 LLNL 竖立首个高功率、高谈判率、约 2 微米的激光器。

这一高出瞻望将使半导体行业受益。Williams 强调，BAT 激光器的功能将影响 EUV 生成之外的鸿沟，对高能量密度 (HED) 物理学和惯性聚变能产生要害影响。

LLNL 还坚抓以为，半导体行业一直在竞相将尽可能多的集成电路和其他功能集成到一块芯片中，使每一代微处理器变得更小但更高大。畴前几年，EUV 光刻技艺占据了当先地位，因为它使用 EUV 光将小至几纳米的微电路蚀刻到先进的芯片和处理器上。

面前，启航点进的EUV光刻技艺已被应用于2nm制程节点的芯片量产，况且仍在抓续优化中。为了阻抑迫临EUV光刻技艺的表面永别率极限，并确保光刻机具备可靠的系统性能，还需要接续深远筹商何如有用惩处提高光源功率所带来的热效应，同期开发角落省略度更低且能保证特征尺寸精准限度与精湛黏遵循的EUV光刻胶。此外，减少光源里面的碎屑沾污以延伸收罗镜的使用寿命，以及裁汰曝光流程中沾秽物附着在掩模上的概率，亦然现时穷苦的筹商课题。

在EUV光刻技艺齐全量产的同期，很多研发机构也在尝试研发更高效且资本相对较低的下一代光刻技艺。

LLNL 长期以来一直是 EUV 光刻技艺的开发前驱，包括为基于等离子体的 EUV 源奠定基础的早期光谱筹商。

早在1988 年，LLNL 提倡第一个 SXPL 系统，筹商东说念主员进一步制造组件和开发技艺进行会诊考证。1989 年，Kinoshita 发表论文提倡最好 SXPL 曝光参数。

之后又在1994 年，好意思国国度 EUV 光刻筹谋出现，由 LLNL、SNL、劳伦斯伯克利国度执行室（LBNL）和 AT&T 贝尔执行室的筹商东说念主员构成，由 DOE 资助并由 DARPA、DOE 和行业代表的技艺筹商小组率领。在此时代，好意思国的筹商团队运行开发成像系统和第一款应用 EUV 技艺的精准叠加器具，欧洲和日本的关系筹商也在积极进行。

日前LLNL的筹商东说念主员还开发出一种新式的“高阶谐波”光源，好像产生更高大、更清醒的EUV光束。这项技艺不仅有望大幅提高EUV光刻机的坐褥恶果，还可能裁汰开导资本。更穷苦的是，它为其他企业投入EUV光刻机市集掀开了大门。

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